Samsung приступила к производству 20-нм чипа мобильной памяти

Производитель всевозможной электроники Samsung Electronics объявил о начале серийного производства первых 20-нм чипов оперативной памяти (DRAM) для мобильных устройств. Полгода назад южнокорейская корпорация начала выпускать аналогичные микросхемы, предназначенные для персональных компьютеров, пишет 3dnews.ru.

На производственные конвейеры встали 6-гигабитные чипы LPDDR3, изготавливаемые по нормам 20-нанометрового класса. Новая память характеризуется скоростью передачи 2133 Мбит/с в расчете на один вывод, что заметно больше по сравнению с показателем микросхем LPDDR2, равным 800 Мбит/с.

Четыре чипа LPDDR3 плотностью 6 Гбит могут быть скомпонованы в одном корпусе, что позволит получить модули мобильной «оперативки» объемом 3 Гбайт, которые на 20% меньше и на 10% энергоэффективнее по сравнению с аналогичными продуктами Samsung, в основе в которых лежат чипы, создаваемые в соответствии с нормативами 25-нм техпроцесса. Кроме того, 20-нм процесс обеспечивает 30-процентный прирост в производительности.

По словам разработчиков, новая память способна стать ведущим продуктом в условиях растущего спроса на смартфоны, планшеты и носимую электронику. Samsung также будет выпускать 20-нм чипы DRAM в версиях плотностью 4 и 8 Гбит.

Южнокорейский производитель напоминает, что в марте он приступил к производству компьютерных 20-нм чипов DDR3 плотностью 4 Гбит.