Будущее флеш-памяти – за трехмерными чипами

Обычные полупроводниковые технологии в ближайшее время подойдут к пределу, после которого дальнейшее уплотнение кристаллов NAND без внесения изменений в их компоновку станет невозможным. Поэтому производителям флеш-памяти, заинтересованным в наращивании емкости предлагаемых устройств, в ближайшее время придется переориентироваться на выпуск чипов NAND с трехмерной структурой. Об этом пишет 3Dnews.kz со ссылкой на отчет компании IHS.

Как ожидается, уже к 2017 году около двух третей выпускаемых микросхем флеш-памяти – примерно 65,2% – будут обладать трехмерной компоновкой. На данный же момент доля объемных чипов NAND не превышает и одного процента. Согласно прогнозу, распространение новой технологии будет происходить достаточно быстрыми темпами. И если в 2014 году доля трехмерной флеш-памяти составит 5,2%, то уже в 2015 она вырастет до 30,2 %. Переломным же станет 2016 год, когда усредненная доля чипов с 3D-структурой в общем объеме выпускаемой NAND-памяти дойдет до 49,8%.

Проблема с традиционными планарными технологическими процессами заключается в том, что уже через одну или две итерации уменьшения производственных норм выпуск кристаллов NAND-памяти может стать затруднителен из-за быстрой деградации ячеек. Поэтому для создания продуктов, обладающих высокой плотностью при сохранении приемлемой стоимости, производители флеш-памяти будут вынуждены прибегнуть к объемной компоновке, которая дает простое решение намечающихся проблем. Немаловажно, что используемое при этом «многоуровневое» размещение ячеек NAND не потребует замены львиной доли используемого технологического оборудования, так что переориентация производства окажется относительно безболезненным мероприятием.

К настоящему моменту о своих достижениях в области подготовки к серийному выпуску 3D-микросхем NAND уже заявили такие крупнейшие игроки рынка флеш-памяти, как Samsung Electronics и SK Hynix. Samsung  даже начал коммерческое производство 3D-чипов V-NAND и анонсировал пару корпоративных твердотельных накопителей Samsung V-NAND SSD на их основе. SK Hynix же представит свои объемные устройства флеш-памяти в этом году несколько позднее. Другие производители, включая SanDisk, Micron и Toshiba, пока сосредоточены на совершенствовании традиционных технологий, и до начала экспериментов с 3D NAND предложат как минимум еще одно поколение планарных микросхем.